Número de parte interno | RO-TK7E80W,S1X |
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Condición | Original New |
País de origen | Contact us |
Marcado superior | email us |
Reemplazo | See datasheet |
VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 280µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-220 |
Serie: | DTMOSIV |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 950 mOhm @ 3.3A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 110W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-220-3 |
Otros nombres: | TK7E80W,S1X(S TK7E80WS1X |
Temperatura de funcionamiento: | 150°C |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 700pF @ 300V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 13nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 800V |
Descripción detallada: | N-Channel 800V 6.5A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |