Número de parte interno | RO-TC58NYG0S3HBAI6 |
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Condición | Original New |
País de origen | Contact us |
Marcado superior | email us |
Reemplazo | See datasheet |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 25ns |
Suministro de voltaje: | 1.7 V ~ 1.95 V |
Tecnología: | FLASH - NAND (SLC) |
Paquete del dispositivo: | 67-VFBGA (6.5x8) |
Serie: | - |
embalaje: | Tray |
Paquete / Cubierta: | 67-VFBGA |
Otros nombres: | TC58NYG0S3HBAI6JAH TC58NYG0S3HBAI6JDH |
Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
Tipo de memoria: | Non-Volatile |
Tamaño de la memoria: | 1Gb (128M x 8) |
Interfaz de memoria: | Parallel |
Formato de memoria: | FLASH |
Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada: | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8) |
Tiempo de acceso: | 25ns |
Email: | [email protected] |