SQ4282EY-T1_GE3
- Número de pieza:
- SQ4282EY-T1_GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descripción:
- MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
- Cantidad en inventario:
- 87294 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SQ4282EY-T1_GE3.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-SQ4282EY-T1_GE3 |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo: | 8-SOIC |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 12.3 mOhm @ 15A, 10V |
| Potencia - Max: | 3.9W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2367pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 47nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A (Tc) 3.9W Surface Mount 8-SOIC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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