SP8M8TB
SP8M8TB
Número de pieza:
SP8M8TB
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad en inventario:
87039 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tiempo de producción:
4-8 weeks
Ficha de datos:
1.SP8M8TB.pdf2.SP8M8TB.pdf

Introducción

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Especificaciones

Número de parte interno RO-SP8M8TB
Condición Original New
País de origen Contact us
Marcado superior email us
Reemplazo See datasheet
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo:8-SOP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:30 mOhm @ 6A, 10V
Potencia - Max:2W
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:SP8M8TBDKR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:520pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:7.2nC @ 5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6A, 4.5A
Número de pieza base:*M8
Email:[email protected]

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