S27KS0641DPBHI020
S27KS0641DPBHI020
Número de pieza:
S27KS0641DPBHI020
Fabricante:
Cypress Semiconductor
Descripción:
IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad en inventario:
82253 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tiempo de producción:
4-8 weeks
Ficha de datos:
S27KS0641DPBHI020.pdf

Introducción

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Especificaciones

Número de parte interno RO-S27KS0641DPBHI020
Condición Original New
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Reemplazo See datasheet
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página:-
Suministro de voltaje:1.7 V ~ 1.95 V
Tecnología:DRAM
Paquete del dispositivo:24-BGA (6x8)
Serie:HyperRAM™
embalaje:Tray
Paquete / Cubierta:24-TBGA
Otros nombres:428-3858
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memoria:Volatile
Tamaño de la memoria:64Mb (8M x 8)
Interfaz de memoria:Parallel
Formato de memoria:DRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante:15 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada:DRAM Memory IC 64Mb (8M x 8) Parallel 166MHz 40ns 24-BGA (6x8)
Frecuencia de reloj:166MHz
Tiempo de acceso:40ns
Email:[email protected]

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