S25JR
- Número de pieza:
- S25JR
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN REV 600V 25A DO203AA
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 88070 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.S25JR.pdf2.S25JR.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-S25JR |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Standard, Reverse Polarity |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 25A |
| Tensión - Desglose: | - |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F: | - |
| Polarización: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Otros nombres: | S25JRGN |
| Tipo de montaje: | Chassis, Stud Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | S25JR |
| Descripción ampliada: | Diode Standard, Reverse Polarity 600V 25A Chassis, Stud Mount |
| configuración de diodo: | 10µA @ 50V |
| Descripción: | DIODE GEN REV 600V 25A DO203AA |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1.1V @ 25A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 600V |
| Capacitancia Vr, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
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