RUE002N05TL
RUE002N05TL
Número de pieza:
RUE002N05TL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad en inventario:
76853 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tiempo de producción:
4-8 weeks
Ficha de datos:
RUE002N05TL.pdf

Introducción

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Especificaciones

Número de parte interno RO-RUE002N05TL
Condición Original New
País de origen Contact us
Marcado superior email us
Reemplazo See datasheet
VGS (th) (Max) @Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:EMT3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo):150mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-75, SOT-416
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:25pF @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.2V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:50V
Descripción detallada:N-Channel 50V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

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