RS1BL RVG
- Número de pieza:
- RS1BL RVG
- Fabricante:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 84529 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- RS1BL RVG.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-RS1BL RVG |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.3V @ 800mA |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 100V |
| Paquete del dispositivo: | Sub SMA |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 150ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | DO-219AB |
| Otros nombres: | RS1BL RVGTR RS1BL RVGTR-ND RS1BLRVGTR |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 25 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción detallada: | Diode Standard 100V 800mA Surface Mount Sub SMA |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 5µA @ 100V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 800mA |
| Capacitancia Vr, F: | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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