PBSS8110AS,126
- Número de pieza:
- PBSS8110AS,126
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descripción:
- TRANS NPN 100V 1A TO92
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 80565 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- PBSS8110AS,126.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-PBSS8110AS,126 |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 100V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 200mV @ 100mA, 1A |
| Tipo de transistor: | NPN |
| Paquete del dispositivo: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 830mW |
| embalaje: | Tape & Box (TB) |
| Paquete / Cubierta: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Otros nombres: | 934057764126 PBSS8110AS AMO PBSS8110AS AMO-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición: | 100MHz |
| Descripción detallada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 150 @ 250mA, 10V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 100nA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 1A |
| Email: | [email protected] |
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