Número de parte interno | RO-MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR |
---|---|
Condición | Original New |
País de origen | Contact us |
Marcado superior | email us |
Reemplazo | See datasheet |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
Suministro de voltaje: | 1.1V |
Tecnología: | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Serie: | - |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Otros nombres: | MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR-ND MT53B256M32D1DS-062XT:CTR |
Temperatura de funcionamiento: | -30°C ~ 105°C (TC) |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
Tipo de memoria: | Volatile |
Tamaño de la memoria: | 8Gb (256M x 32) |
Interfaz de memoria: | - |
Formato de memoria: | DRAM |
Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada: | SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 8Gb (256M x 32) 1600MHz |
Frecuencia de reloj: | 1600MHz |
Email: | [email protected] |