MMIX1F44N100Q3
MMIX1F44N100Q3
Número de pieza:
MMIX1F44N100Q3
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 30A
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad en inventario:
58570 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tiempo de producción:
4-8 weeks
Ficha de datos:
1.MMIX1F44N100Q3.pdf2.MMIX1F44N100Q3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Número de parte interno RO-MMIX1F44N100Q3
Condición Original New
País de origen Contact us
Marcado superior email us
Reemplazo See datasheet
VGS (th) (Max) @Id:6.5V @ 8mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:24-SMPD
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:245 mOhm @ 22A, 10V
La disipación de energía (máximo):694W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:24-PowerSMD, 21 Leads
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:13600pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:264nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V
Descripción detallada:N-Channel 1000V 30A (Tc) 694W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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