IS42S32800D-6BI
- Número de pieza:
- IS42S32800D-6BI
- Fabricante:
- ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- Descripción:
- IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
- Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad en inventario:
- 53098 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.IS42S32800D-6BI.pdf2.IS42S32800D-6BI.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-IS42S32800D-6BI |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
| Suministro de voltaje: | 3 V ~ 3.6 V |
| Tecnología: | SDRAM |
| Paquete del dispositivo: | 90-TFBGA (8x13) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 90-TFBGA |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 2 (1 Year) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 256Mb (8M x 32) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | DRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descripción detallada: | SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13) |
| Frecuencia de reloj: | 166MHz |
| Tiempo de acceso: | 5.4ns |
| Email: | [email protected] |
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