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EPC2050ENGRT
EPC2050ENGRT
Número de pieza:
EPC2050ENGRT
Fabricante:
EPC
Descripción:
TRANS GAN 350V BUMPED DIE
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad en inventario:
47138 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tiempo de producción:
4-8 weeks
Ficha de datos:
EPC2050ENGRT.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Número de parte interno RO-EPC2050ENGRT
Condición Original New
País de origen Contact us
Marcado superior email us
Reemplazo See datasheet
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1.5mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo:Die Outline (12-Solder Bar)
Serie:eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs:65 mOhm @ 6A, 5V
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:Die
Otros nombres:917-EPC2050ENGRCT
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:505pF @ 280V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:4.3nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:350V
Descripción detallada:N-Channel 350V 6.3A Surface Mount Die Outline (12-Solder Bar)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6.3A
Email:[email protected]

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