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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > EPC2033
EPC2033
EPC2033
Número de pieza:
EPC2033
Fabricante:
EPC
Descripción:
TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad en inventario:
39049 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tiempo de producción:
4-8 weeks
Ficha de datos:
EPC2033.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Número de parte interno RO-EPC2033
Condición Original New
País de origen Contact us
Marcado superior email us
Reemplazo See datasheet
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 9mA
Tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo:Die
Serie:eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs:7 mOhm @ 25A, 5V
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:Die
Otros nombres:917-1131-1
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1140pF @ 75V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:150V
Descripción detallada:N-Channel 150V 31A (Ta) Surface Mount Die
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:31A (Ta)
Email:[email protected]

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