EMX1FHAT2R
- Número de pieza:
- EMX1FHAT2R
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 67417 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.EMX1FHAT2R.pdf2.EMX1FHAT2R.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-EMX1FHAT2R |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 50V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 400mV @ 5mA, 50mA |
| Tipo de transistor: | 2 NPN (Dual) |
| Paquete del dispositivo: | EMT6 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101 |
| Potencia - Max: | 150mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres: | EMX1FHAT2RTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 7 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición: | 180MHz |
| Descripción detallada: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 180MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 1mA, 6V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 150mA |
| Email: | [email protected] |
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