DSE010-TR-E
- Número de pieza:
- DSE010-TR-E
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 80V 100MA
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 81968 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- DSE010-TR-E.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-DSE010-TR-E |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 100mA |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Resistencia @ Si, F: | 3pF @ 0.5V, 1MHz |
| Polarización: | - |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 4ns |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | DSE010-TR-E |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 80V 100mA |
| configuración de diodo: | 500nA @ 80V |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 80V 100MA |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1.2V @ 100mA |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 80V |
| Capacitancia Vr, F: | -55°C ~ 125°C |
| Email: | [email protected] |
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