CSD16411Q3
- Número de pieza:
- CSD16411Q3
- Fabricante:
- TI
- Descripción:
- MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
- Estado RoHS:
- Contiene plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 71385 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- CSD16411Q3.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-CSD16411Q3 |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Voltaje - Prueba: | 570pF @ 12.5V |
| Tensión - Desglose: | 8-VSON (3.3x3.3) |
| VGS (th) (Max) @Id: | 10 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (Max): | 4.5V, 10V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | NexFET™ |
| Estado RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 14A (Ta), 56A (Tc) |
| Polarización: | 8-PowerVDFN |
| Otros nombres: | 296-24255-2 CSD16411Q3/2801 CSD16411Q3/2801-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | CSD16411Q3 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3.8nC @ 4.5V |
| Tipo de IGBT: | +16V, -12V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 2.3V @ 250µA |
| Característica de FET: | N-Channel |
| Descripción ampliada: | N-Channel 25V 14A (Ta), 56A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | - |
| Descripción: | MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 25V |
| relación de capacidades: | 2.7W (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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