español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-RF > BLF642,112
BLF642,112
BLF642,112
Número de pieza:
BLF642,112
Fabricante:
Ampleon
Descripción:
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT467C
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad en inventario:
83021 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tiempo de producción:
4-8 weeks
Ficha de datos:
BLF642,112.pdf
Investigación

Introducción

We can supply BLF642,112, use the request quote form to request BLF642,112 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number BLF642,112.The price and lead time for BLF642,112 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# BLF642,112.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Especificaciones

Número de parte interno RO-BLF642,112
Condición Original New
País de origen Contact us
Marcado superior email us
Reemplazo See datasheet
Voltaje - Prueba:32V
Tensión - Calificación:65V
Tipo de transistor:LDMOS
Paquete del dispositivo:SOT467C
Serie:-
Alimentación - Salida:35W
embalaje:Tray
Paquete / Cubierta:SOT467C
Otros nombres:568-7548
568-7548-5
568-7548-5-ND
934065183112
BLF642,112-ND
BLF642112
Figura de ruido:-
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:13 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Ganancia:19dB
Frecuencia:1.3GHz
Descripción detallada:RF Mosfet LDMOS 32V 200mA 1.3GHz 19dB 35W SOT467C
Valoración actual:-
Corriente - Prueba:200mA
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de BLF642,112

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
BLF6G05LS-200RN,11 Image BLF6G05LS-200RN,11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B Investigación
BLF647PS,112 Image BLF647PS,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B Investigación
BLF647,112 Image BLF647,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT540A Investigación
BLF640U Image BLF640U Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A Investigación
BLF645,112 Image BLF645,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A Investigación
BLF571,112 Image BLF571,112 Ampleon RF FET LDMOS 110V 27.5DB SOT467C Investigación
BLF573S,112 Image BLF573S,112 Ampleon RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B Investigación
BLF574XR,112 Image BLF574XR,112 Ampleon RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214A Investigación
BLF578,112 Image BLF578,112 Ampleon RF FET LDMOS 110V 24DB SOT539A Investigación
BLF578XRS,112 Image BLF578XRS,112 Ampleon RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539B Investigación
BLF578XR,112 Image BLF578XR,112 Ampleon RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539A Investigación
BLF574,112 Image BLF574,112 Ampleon RF FET LDMOS 110V 26.5DB SOT539A Investigación
BLF6G10-135RN,112 Image BLF6G10-135RN,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A Investigación
BLF6G05LS-200RN:11 Image BLF6G05LS-200RN:11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B Investigación
BLF647P,112 Image BLF647P,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A Investigación
BLF6G10-160RN,112 Image BLF6G10-160RN,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A Investigación
BLF574XRS,112 Image BLF574XRS,112 Ampleon RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214B Investigación
BLF647PSJ Image BLF647PSJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B Investigación
BLF644PU Image BLF644PU Ampleon RF FET LDMOS 65V 23.5DB SOT1228A Investigación
BLF573,112 Image BLF573,112 Ampleon RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502A Investigación

Latest Noticias