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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > APT39F60J
APT39F60J
APT39F60J
Número de pieza:
APT39F60J
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad en inventario:
81634 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tiempo de producción:
4-8 weeks
Ficha de datos:
APT39F60J.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Número de parte interno RO-APT39F60J
Condición Original New
País de origen Contact us
Marcado superior email us
Reemplazo See datasheet
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:ISOTOP®
Serie:POWER MOS 8™
RDS (Max) @Id, Vgs:110 mOhm @ 28A, 10V
La disipación de energía (máximo):480W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:27 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:11300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:280nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción detallada:N-Channel 600V 42A (Tc) 480W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:42A (Tc)
Email:[email protected]

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