Número de parte interno | RO-7164L55TDB |
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Condición | Original New |
País de origen | Contact us |
Marcado superior | email us |
Reemplazo | See datasheet |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 55ns |
Suministro de voltaje: | 4.5 V ~ 5.5 V |
Tecnología: | SRAM - Asynchronous |
Paquete del dispositivo: | 28-CDIP |
Serie: | - |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | 28-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Otros nombres: | IDT7164L55TDB IDT7164L55TDB-ND |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tipo de memoria: | Volatile |
Tamaño de la memoria: | 64Kb (8K x 8) |
Interfaz de memoria: | Parallel |
Formato de memoria: | SRAM |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Descripción detallada: | SRAM - Asynchronous Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 55ns 28-CDIP |
Tiempo de acceso: | 55ns |
Email: | [email protected] |