1N5617US
- Número de pieza:
- 1N5617US
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 400V 1A D5A
- Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad en inventario:
- 39397 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1N5617US.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-1N5617US |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.6V @ 3A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 400V |
| Paquete del dispositivo: | D-5A |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 150ns |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | SQ-MELF, A |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 7 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción detallada: | Diode Standard 400V 1A Surface Mount D-5A |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 500nA @ 400V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 1A |
| Capacitancia Vr, F: | 35pF @ 12V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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