TT8U1TR
- Artikelnummer:
- TT8U1TR
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 45916 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 1.TT8U1TR.pdf2.TT8U1TR.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-TT8U1TR |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±10V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-TSST |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 105 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Verlustleistung (max): | 1.25W (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SMD, Flat Lead |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 850pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.7nC @ 4.5V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | Schottky Diode (Isolated) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | P-Channel 20V 2.4A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-TSST |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 2.4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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