SQJ431EP-T1_GE3
- Artikelnummer:
- SQJ431EP-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay / Siliconix
- Beschreibung:
- MOSFET P-CHAN 200V SO8L
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 60348 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- SQJ431EP-T1_GE3.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-SQJ431EP-T1_GE3 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Prüfung: | 4355pF @ 25V |
| Spannung - Durchschlag: | PowerPAK® SO-8 |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 213 mOhm @ 1A, 4V |
| Vgs (Max): | 6V, 10V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RoHS Status: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 12A (Tc) |
| Polarisation: | PowerPAK® SO-8 |
| Andere Namen: | SQJ431EP-T1_GE3TR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 18 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | SQJ431EP-T1_GE3 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 160nC @ 10V |
| IGBT-Typ: | ±20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.5V @ 250µA |
| FET-Merkmal: | P-Channel |
| Expanded Beschreibung: | P-Channel 200V 12A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | - |
| Beschreibung: | MOSFET P-CHAN 200V SO8L |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 200V |
| Kapazitätsverhältnis: | 83W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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