Interne Teilenummer | RO-SIR164DP-T1-GE3 |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Prüfung: | 3950pF @ 15V |
Spannung - Durchschlag: | PowerPAK® SO-8 |
VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (Max): | 4.5V, 10V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Serie: | TrenchFET® |
RoHS Status: | Tape & Reel (TR) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 50A (Tc) |
Polarisation: | PowerPAK® SO-8 |
Andere Namen: | SIR164DP-T1-GE3TR SIR164DPT1GE3 |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 15 Weeks |
Hersteller-Teilenummer: | SIR164DP-T1-GE3 |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 123nC @ 10V |
IGBT-Typ: | ±20V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
FET-Merkmal: | N-Channel |
Expanded Beschreibung: | N-Channel 30V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | - |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 30V |
Kapazitätsverhältnis: | 5.2W (Ta), 69W (Tc) |
Email: | [email protected] |