SIHF30N60E-GE3
SIHF30N60E-GE3
Artikelnummer:
SIHF30N60E-GE3
Hersteller:
Vishay / Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 29A TO220
RoHS-Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Menge auf Lager:
63948 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Produktionszeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
SIHF30N60E-GE3.pdf

Einführung

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Spezifikation

Interne Teilenummer RO-SIHF30N60E-GE3
Bedingung Original New
Herkunftsland Contact us
Top-Markierung email us
Ersatz See datasheet
Spannung - Prüfung:2600pF @ 100V
VGS (th) (Max) @ Id:125 mOhm @ 15A, 10V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Serie:E
RoHS Status:Digi-Reel®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:29A (Tc)
Polarisation:TO-220-3 Full Pack
Andere Namen:SIHF30N60E-GE3DKR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:19 Weeks
Hersteller-Teilenummer:SIHF30N60E-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:130nC @ 10V
IGBT-Typ:±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:4V @ 250µA
FET-Merkmal:N-Channel
Expanded Beschreibung:N-Channel 600V 29A (Tc) 37W (Tc) Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss):-
Beschreibung:MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:600V
Kapazitätsverhältnis:37W (Tc)
Email:[email protected]

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