Interne Teilenummer | RO-SI8816EDB-T2-E1 |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
VGS (th) (Max) @ Id: | 1.4V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±12V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | 4-Microfoot |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 109 mOhm @ 1A, 10V |
Verlustleistung (max): | 500mW (Ta) |
Verpackung: | Original-Reel® |
Verpackung / Gehäuse: | 4-XFBGA |
Andere Namen: | SI8816EDB-T2-E1DKR |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 46 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 195pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 8nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
detaillierte Beschreibung: | N-Channel 30V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | - |
Email: | [email protected] |