Interne Teilenummer | RO-SI6459BDQ-T1-E3 |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | 8-TSSOP |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 115 mOhm @ 2.7A, 10V |
Verlustleistung (max): | 1W (Ta) |
Verpackung: | Original-Reel® |
Verpackung / Gehäuse: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Andere Namen: | SI6459BDQ-T1-E3DKR |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
Typ FET: | P-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
detaillierte Beschreibung: | P-Channel 60V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 2.2A (Ta) |
Email: | [email protected] |