SI3900DV-T1-E3
- Artikelnummer:
- SI3900DV-T1-E3
- Hersteller:
- Vishay / Siliconix
- Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 66251 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- SI3900DV-T1-E3.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-SI3900DV-T1-E3 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Prüfung: | - |
| Spannung - Durchschlag: | 6-TSOP |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Serie: | TrenchFET® |
| RoHS Status: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2A |
| Leistung - max: | 830mW |
| Polarisation: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Andere Namen: | SI3900DV-T1-E3TR SI3900DVT1E3 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 15 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | SI3900DV-T1-E3 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 4nC @ 4.5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.5V @ 250µA |
| FET-Merkmal: | 2 N-Channel (Dual) |
| Expanded Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | Logic Level Gate |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 20V |
| Email: | [email protected] |
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