RN2427TE85LF
- Artikelnummer:
- RN2427TE85LF
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 83100 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- RN2427TE85LF.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-RN2427TE85LF |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 1mA, 50mA |
| Transistor-Typ: | PNP - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse: | S-Mini |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2): | 10 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1): | 2.2 kOhms |
| Leistung - max: | 200mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Andere Namen: | RN2427(TE85L,F) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 11 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 200MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 200MHz 200mW Surface Mount S-Mini |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 90 @ 100mA, 1V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 800mA |
| Email: | [email protected] |
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