RFN3BM2SFHTL
- Artikelnummer:
- RFN3BM2SFHTL
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 200V 3A TO252
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 33148 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 1.RFN3BM2SFHTL.pdf2.RFN3BM2SFHTL.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-RFN3BM2SFHTL |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 980mV @ 3A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max): | 200V |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-252 |
| Geschwindigkeit: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101 |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 25ns |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen: | RFN3BM2SFHTLCT |
| Betriebstemperatur - Anschluss: | 150°C (Max) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp: | Standard |
| detaillierte Beschreibung: | Diode Standard 200V 3A Surface Mount TO-252 |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 10µA @ 200V |
| Strom - Richt (Io): | 3A |
| Kapazität @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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