Interne Teilenummer | RO-MT53B256M64D2NL-062 XT ES:C |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | - |
Spannungsversorgung: | 1.1V |
Technologie: | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Serie: | - |
Andere Namen: | MT53B256M64D2NL-062 XT ES:C-ND MT53B256M64D2NL-062XTES:C |
Betriebstemperatur: | -30°C ~ 105°C (TC) |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Speichertyp: | Volatile |
Speichergröße: | 16Gb (256M x 64) |
Speicherschnittstelle: | - |
Speicherformat: | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 16Gb (256M x 64) 1600MHz |
Uhrfrequenz: | 1600MHz |
Email: | [email protected] |