Interne Teilenummer | RO-MT40A512M8RH-083E AIT:B |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | - |
Spannungsversorgung: | 1.14 V ~ 1.26 V |
Technologie: | SDRAM - DDR4 |
Serie: | - |
Andere Namen: | MT40A512M8RH-083E AIT:B-ND MT40A512M8RH-083EAIT:B |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 95°C (TC) |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Speichertyp: | Volatile |
Speichergröße: | 4Gb (512M x 8) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 1.2GHz |
Uhrfrequenz: | 1.2GHz |
Email: | [email protected] |