Interne Teilenummer | RO-MDS60L |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 65V |
Transistor-Typ: | NPN |
Supplier Device-Gehäuse: | 55AW |
Serie: | - |
Leistung - max: | 120W |
Verpackung: | Bulk |
Verpackung / Gehäuse: | 55AW |
Betriebstemperatur: | 200°C (TJ) |
Rauschzahl (dB Typ @ f): | - |
Befestigungsart: | Chassis Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 32 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Gewinnen: | 10dB |
Frequenz - Übergang: | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
detaillierte Beschreibung: | RF Transistor NPN 65V 4A 1.03GHz ~ 1.09GHz 120W Chassis Mount 55AW |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 20 @ 500mA, 5V |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 4A |
Email: | [email protected] |