Interne Teilenummer | RO-MD51V65165E-50TAZ0AR |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 84ns |
Spannungsversorgung: | 3 V ~ 3.6 V |
Technologie: | DRAM |
Supplier Device-Gehäuse: | 50-TSOP II |
Serie: | - |
Verpackung: | Tray |
Verpackung / Gehäuse: | 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Andere Namen: | MD51V65165E-50TA03A7 MD51V65165E-50TA03A7-ND MD51V65165E-50TAZ MD51V65165E-50TAZ0AR-ND MD51V65165E50TAZ0AR |
Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 2 (1 Year) |
Speichertyp: | Volatile |
Speichergröße: | 64Mb (4M x 16) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | DRAM Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 25ns 50-TSOP II |
Basisteilenummer: | MD51V65165E |
Zugriffszeit: | 25ns |
Email: | [email protected] |