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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel > JAN2N3506AL
JAN2N3506AL
Artikelnummer:
JAN2N3506AL
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
TRANS NPN 40V 3A TO5
RoHS-Status:
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Menge auf Lager:
82617 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Produktionszeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
JAN2N3506AL.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Interne Teilenummer RO-JAN2N3506AL
Bedingung Original New
Herkunftsland Contact us
Top-Markierung email us
Ersatz See datasheet
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):40V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:1.5V @ 250mA, 2.5A
Transistor-Typ:NPN
Supplier Device-Gehäuse:TO-5
Serie:Military, MIL-PRF-19500/349
Leistung - max:1W
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Andere Namen:1086-20841
1086-20841-MIL
Betriebstemperatur:-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang:-
detaillierte Beschreibung:Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 3A 1W Through Hole TO-5
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:40 @ 1.5A, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max):-
Strom - Kollektor (Ic) (max):3A
Email:[email protected]

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