IXXP12N65B4D1
- Artikelnummer:
- IXXP12N65B4D1
- Hersteller:
- IXYS Corporation
- Beschreibung:
- IGBT
- Menge auf Lager:
- 50352 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- IXXP12N65B4D1.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-IXXP12N65B4D1 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 650V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 1.95V @ 15V, 12A |
| Testbedingung: | 400V, 12A, 20 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C: | 13ns/158ns |
| Schaltenergie: | 440µJ (on), 220µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-220 |
| Serie: | XPT™, GenX4™ |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 43ns |
| Leistung - max: | 160W |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 24 Weeks |
| Eingabetyp: | Standard |
| IGBT-Typ: | - |
| Gate-Ladung: | 34nC |
| detaillierte Beschreibung: | IGBT 650V 38A 160W Through Hole TO-220 |
| Strom - Collector Pulsed (Icm): | 70A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 38A |
| Email: | [email protected] |
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