Interne Teilenummer | RO-IRF6604TR1 |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
VGS (th) (Max) @ Id: | 2.1V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±12V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | DIRECTFET™ MQ |
Serie: | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 11.5 mOhm @ 12A, 7V |
Verlustleistung (max): | 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | DirectFET™ Isometric MQ |
Andere Namen: | SP001525412 |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 2270pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 26nC @ 4.5V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 7V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
detaillierte Beschreibung: | N-Channel 30V 12A (Ta), 49A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MQ |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 12A (Ta), 49A (Tc) |
Email: | [email protected] |