Interne Teilenummer | RO-IDT6116SA20SO8 |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 20ns |
Spannungsversorgung: | 4.5 V ~ 5.5 V |
Technologie: | SRAM - Asynchronous |
Supplier Device-Gehäuse: | 24-SOIC |
Serie: | - |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Andere Namen: | 6116SA20SO8 |
Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Speichertyp: | Volatile |
Speichergröße: | 16Kb (2K x 8) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | SRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
detaillierte Beschreibung: | SRAM - Asynchronous Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 20ns 24-SOIC |
Basisteilenummer: | IDT6116 |
Zugriffszeit: | 20ns |
Email: | [email protected] |