EPC8005ENGR
- Artikelnummer:
- EPC8005ENGR
- Hersteller:
- EPC
- Beschreibung:
- TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 87596 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 1.EPC8005ENGR.pdf2.EPC8005ENGR.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-EPC8005ENGR |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Prüfung: | 29pF @ 32.5V |
| Spannung - Durchschlag: | Die |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 275 mOhm @ 500mA, 5V |
| Technologie: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Serie: | eGaN® |
| RoHS Status: | Tray |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.9A (Ta) |
| Polarisation: | Die |
| Andere Namen: | 917-EPC8005ENGR EPC8005ENGH |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | EPC8005ENGR |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 0.22nC @ 5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
| FET-Merkmal: | N-Channel |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 65V 2.9A (Ta) Surface Mount Die |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | - |
| Beschreibung: | TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 65V |
| Kapazitätsverhältnis: | - |
| Email: | [email protected] |
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