Interne Teilenummer | RO-DG2032EDN-T1-GE4 |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannungsversorgung, Single (V +): | 1.8 V ~ 5.5 V |
Spannungsversorgung, Dual (V ±): | - |
Schaltzeit (Ton, Toff) (Max): | 40ns, 33ns |
Schaltkreis einschalten: | SPDT |
Supplier Device-Gehäuse: | 12-QFN (3x3) |
Serie: | - |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | 12-VFQFN Exposed Pad |
Andere Namen: | DG2032EDN-T1-GE4-ND DG2032EDN-T1-GE4TR |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
On-State Resistance (Max): | 3.1 Ohm |
Zahl der Schaltkreise: | 2 |
Multiplexer / Demultiplexer Schaltung: | 2:1 |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 16 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | 2 Circuit IC Switch 2:1 3.1 Ohm 12-QFN (3x3) |
Strom - Leckage (IS (off)) (Max): | - |
Übersprechen: | -62dB @ 1MHz |
Ladungseinspritzung: | -19.4pC |
Kanal-zu-Kanal-Matching (ΔRon): | 10 mOhm |
Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus)): | - |
-3db Bandbreite: | 221MHz |
Email: | [email protected] |