Interne Teilenummer | RO-CYDM256B16-55BVXI |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 55ns |
Spannungsversorgung: | 1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 2.7 V ~ 3.3 V |
Technologie: | SRAM - Dual Port, MoBL |
Supplier Device-Gehäuse: | 100-VFBGA (6x6) |
Serie: | - |
Verpackung: | Tray |
Verpackung / Gehäuse: | 100-VFBGA |
Andere Namen: | 428-4165 CYDM256B16-55BVXI-ND CYDM256B1655BVXI |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Speichertyp: | Volatile |
Speichergröße: | 256Kb (16K x 16) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | SRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | SRAM - Dual Port, MoBL Memory IC 256Kb (16K x 16) Parallel 55ns 100-VFBGA (6x6) |
Basisteilenummer: | CYDM |
Zugriffszeit: | 55ns |
Email: | [email protected] |