Interne Teilenummer | RO-CY7C199D-10VXI |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 10ns |
Spannungsversorgung: | 4.5 V ~ 5.5 V |
Technologie: | SRAM - Asynchronous |
Supplier Device-Gehäuse: | 28-SOJ |
Serie: | - |
Verpackung: | Tube |
Verpackung / Gehäuse: | 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) |
Andere Namen: | 428-1954-5 CY7C199D10VXI |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Speichertyp: | Volatile |
Speichergröße: | 256Kb (32K x 8) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | SRAM |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 8 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | SRAM - Asynchronous Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 10ns 28-SOJ |
Basisteilenummer: | CY7C199 |
Zugriffszeit: | 10ns |
Email: | [email protected] |