Interne Teilenummer | RO-CY7C1462AV25-200AXC |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | - |
Spannungsversorgung: | 2.375 V ~ 2.625 V |
Technologie: | SRAM - Synchronous |
Supplier Device-Gehäuse: | 100-TQFP (14x20) |
Serie: | NoBL™ |
Verpackung: | Tray |
Verpackung / Gehäuse: | 100-LQFP |
Andere Namen: | 428-2164 CY7C1462AV25-200AXC-ND CY7C1462AV25200AXC |
Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Speichertyp: | Volatile |
Speichergröße: | 36Mb (2M x 18) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | SRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | SRAM - Synchronous Memory IC 36Mb (2M x 18) Parallel 200MHz 3.2ns 100-TQFP (14x20) |
Uhrfrequenz: | 200MHz |
Basisteilenummer: | CY7C1462 |
Zugriffszeit: | 3.2ns |
Email: | [email protected] |