Interne Teilenummer | RO-CY62147EV18LL-55BVXI |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 55ns |
Spannungsversorgung: | 1.65 V ~ 2.25 V |
Technologie: | SRAM - Asynchronous |
Supplier Device-Gehäuse: | 48-VFBGA (6x8) |
Serie: | MoBL® |
Verpackung: | Tray |
Verpackung / Gehäuse: | 48-VFBGA |
Andere Namen: | 428-3972 CY62147EV18LL-55BVXI-ND CY62147EV18LL55BVXI |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Speichertyp: | Volatile |
Speichergröße: | 4Mb (256K x 16) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | SRAM |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 9 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 55ns 48-VFBGA (6x8) |
Basisteilenummer: | CY62147 |
Zugriffszeit: | 55ns |
Email: | [email protected] |