Interne Teilenummer | RO-CY62136ESL-45ZSXI |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 45ns |
Spannungsversorgung: | 2.2 V ~ 5.5 V |
Technologie: | SRAM - Asynchronous |
Supplier Device-Gehäuse: | 44-TSOP II |
Serie: | MoBL® |
Verpackung: | Tray |
Verpackung / Gehäuse: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Andere Namen: | 428-4485 CY62136ESL-45ZSXI-ND CY62136ESL45ZSXI |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Speichertyp: | Volatile |
Speichergröße: | 2Mb (128K x 16) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | SRAM |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 9 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 45ns 44-TSOP II |
Basisteilenummer: | CY62136 |
Zugriffszeit: | 45ns |
Email: | [email protected] |