BAS316,H3F
- Artikelnummer:
- BAS316,H3F
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 75348 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- BAS316,H3F.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-BAS316,H3F |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 1.25V @ 150mA |
| Spannung - Sperr (Vr) (max): | 100V |
| Supplier Device-Gehäuse: | USC |
| Geschwindigkeit: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 3ns |
| Verpackung / Gehäuse: | SC-76, SOD-323 |
| Andere Namen: | BAS316H3F |
| Betriebstemperatur - Anschluss: | 150°C (Max) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp: | Standard |
| detaillierte Beschreibung: | Diode Standard 100V 250mA Surface Mount USC |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 200nA @ 80V |
| Strom - Richt (Io): | 250mA |
| Kapazität @ Vr, F: | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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