AS4C32M16D1-5BIN
AS4C32M16D1-5BIN
Artikelnummer:
AS4C32M16D1-5BIN
Hersteller:
Alliance Memory, Inc.
Beschreibung:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
RoHS-Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Menge auf Lager:
66126 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Produktionszeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
AS4C32M16D1-5BIN.pdf

Einführung

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Spezifikation

Interne Teilenummer RO-AS4C32M16D1-5BIN
Bedingung Original New
Herkunftsland Contact us
Top-Markierung email us
Ersatz See datasheet
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:15ns
Spannungsversorgung:2.3 V ~ 2.7 V
Technologie:SDRAM - DDR
Supplier Device-Gehäuse:60-TFBGA (8x13)
Serie:-
Verpackung:Tray
Verpackung / Gehäuse:60-TFBGA
Andere Namen:1450-1327
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit:8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
Uhrfrequenz:200MHz
Zugriffszeit:700ps
Email:[email protected]

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