Interne Teilenummer | RO-70V659S12DR |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 12ns |
Spannungsversorgung: | 3.15 V ~ 3.45 V |
Technologie: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Supplier Device-Gehäuse: | 208-PQFP (28x28) |
Serie: | - |
Verpackung: | Tray |
Verpackung / Gehäuse: | 208-BFQFP |
Andere Namen: | 800-2319 IDT70V659S12DR IDT70V659S12DR-ND |
Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Speichertyp: | Volatile |
Speichergröße: | 4.5Mb (128K x 36) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | SRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
detaillierte Beschreibung: | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 12ns 208-PQFP (28x28) |
Basisteilenummer: | IDT70V659 |
Zugriffszeit: | 12ns |
Email: | [email protected] |