Společnost Toshiba Electronic Component and Storage Device Co., Ltd. („Toshiba“) dnes oznámila, že spuštění 150V N-Channel Power MOSFET --- „TPH9R00CQ5“, který používá nejnovější generaci [1] proces U-MoSX-H, používá nejnovější generaci [1] U-Mosx-H. Lze použít pro napájecí zdroj napájení průmyslových zařízení, napájecí aplikace, jako jsou datová centra a základní základní stanice.Produkt dnes začal podporovat dávkové zásilky.

TPH9R00CQ5 má odvětví -Leading [2] 9,0 mΩ (maximální hodnota) Odolnost proti vodivosti s nízkým zdrojem, což je asi 42%ve srovnání s existujícím produktem Toshiba „TPH1500CNH1 [3]“.Současně ve srovnání s existujícím produktem společnosti Toshiba „TPH9R00CQH4 [4]“ se poplatek za zotavení reverzní regenerace sníží asi o 74%a čas zpětného zotavení [5] je zkrácen asi o 44%. Indikátory reverzního zotavení.Nové produkty čelí synchronním aplikacím pro rektifikaci [6], což snižuje ztrátu energie přepínacího napájení a pomáhá zlepšit účinnost systému.Kromě toho ve srovnání s TPH9R00CQH nový produkt snižuje maximální napětí generované během procesu přepínání, což pomáhá snížit napájení EMI.

Tento produkt je zapouzdřen široce uznávaným povrchovým nálepkou SOP Advance (N).

Kromě toho společnost Toshiba také poskytuje související nástroje, které podporují přepínací napájecí obvody.Kromě modelu Spice G0, který může rychle ověřit funkci obvodu, poskytuje také kořenící modely s vysokou nadměrností, které mohou přesně reprodukovat přechodné vlastnosti obvodu.

Společnost Toshiba použila produkt k vývoji „1KW bez izolačního převaděče DC-DC pro komunikační zařízení“ a „3-fázový víceúrovňový střídač s MOSFET“.Od nynějška můžete navštívit oficiální web Dongzhi a získat výše uvedený referenční návrh.Kromě toho lze nové produkty také použít pro referenční návrh „1KW Full Bridge DC-DC Converter“.

Společnost Toshiba bude i nadále rozšiřovat svou produktovou řadu Power MOSFET, aby se snížila ztráta energie, zlepšila energetickou účinnost a pomohla zlepšit efektivitu zařízení.

aplikace

-Pofered v průmyslovém vybavení, jako je napájení napájení pro datová centra a komunikační základní stanice

-Switzer napájení (vysoce efektivní převodník DC-DC atd.)

charakteristický

-Vedoucí odvětví [2] Odolnost proti nízkému převahu: RDS (on) = 9,0 mΩ (maximální hodnota) (VGS = 10V)

-Vedení průmyslu [2] Nízký reverzní zotavení: QRR = 34NC (typická hodnota) (-DiDR/DT = 100A/μs)

-Vedoucí průmyslu [2] Rychlá doba zotavení: TRR = 40NS (typické hodnoty) (-DIDR/DT = 100A/μs)

-Hey -rated Teplota uzlu: tch (maximální hodnota) = 175 ℃

Hlavní specifikace

(Pokud neexistují jiné pokyny, ta = 25 ℃)

Referenční design: „1KW nezolační převodník DC-DC pro komunikační zařízení“

Referenční design: „3 -fázový víceúrovňový střídač MOSFET“

Poznámka:

[1] Data od března 2023.

[2] od března 2023 ve srovnání s jinými 150V produkty.Průzkum Toshiba.

[3] 150V produkty využívající aktuální generování procesu U-MOSVIII-H.

[4] Produkt přijímá stejný výrobní proces jako TPH9R00CQ5 a má stejný odpor napětí a pohonu.

[5] MOSFET dioda přepíná z pozitivního zkreslení na přepínací pohyby zkreslení.

[6] Pokud se nový produkt používá pro obvody, které neprovádějí operace zpětného zotavení, je spotřeba energie ekvivalentní úrovni TPH9R00CQH.