NE5517DR2G
- Part Number:
- NE5517DR2G
- Výrobce:
- ON Semiconductor
- Popis:
- IC OPAMP TRANSCOND 2MHZ 16SOIC
- Stav RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství na skladě:
- 63808 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Doba výroby:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- NE5517DR2G.pdf
Úvod
We can supply NE5517DR2G, use the request quote form to request NE5517DR2G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NE5517DR2G.The price and lead time for NE5517DR2G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NE5517DR2G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specifikace
| Číslo interní součásti | RO-NE5517DR2G |
|---|---|
| Stav | Original New |
| Země původu | Contact us |
| Nejlepší značení | email us |
| Výměna, nahrazení | See datasheet |
| Napětí - Napájení, Single / Dual (±): | 4 V ~ 44 V, ±2 V ~ 22 V |
| Napětí - Input Offset: | 400µV |
| Dodavatel zařízení Package: | 16-SOIC |
| rychlost přeběhu: | 50 V/µs |
| Série: | - |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Typ výstupu: | Push-Pull |
| Ostatní jména: | NE5517DR2G-ND NE5517DR2GOSTR |
| Provozní teplota: | 0°C ~ 70°C |
| Počet okruhů: | 2 |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 2 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zisk Bandwidth Product: | 2MHz |
| Detailní popis: | Transconductance Amplifier 2 Circuit Push-Pull 16-SOIC |
| Proud - Supply: | 2.6mA |
| Aktuální - Výstup / Channel: | 650µA |
| Aktuální - Vstupní klidový: | 400nA |
| Číslo základní části: | NE5517 |
| zesilovač Type: | Transconductance |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro NE5517DR2G
Latest News
- Onsemi zahájil první mýtné balení 650 V silikonový karbid mosfet
- Vývojová sada motorů ON Semiconductor se zaměřuje nejprve na energetickou účinnost
- Platforma lidar ON Semiconductor s křemíkovým fotonásobičem (SiPM) s přímým časem letu (dToF) poskytuje hotové návrhy pro průmyslové aplikace
- ON Semiconductor a Theta Power Systems International navazují partnerství pro aplikace řízení motorů
- ON Semiconductor jmenuje Hassana El-Khouryho nástupcem CEO (CEO)